近13万个像素点，华引芯发布0.4英寸MicroLED产品

昨（6）日，华引芯发布了全新自研0.4英寸MicroLED模组。该模组集成了129600个像素点，最小芯片单元尺寸及像素间距为18μm，拥有480x270分辨率，超25000cd/㎡的亮度及100000:1的对比度，适用于AR、汽车抬头显示（HUD）、智能光源显示等领域。

华引芯介绍，相比采用约2万颗Mini LED灯珠的高阶Mini LED显示模组，本次其推出的microled模组拥有129600个可单独驱动的像素点，实现了像素级控光效果，比Mini LED的分区背光控制更加直接和纯粹。

总的来说，华引芯这款0.4英寸MicroLED产品以更小、更薄、更柔为特点，在AR眼镜、汽车抬头显示及智能显示方面具有很大的应用潜力，这在一定程度上表明华引芯正在为迎接元宇宙时代的到来而做充分的准备。

元宇宙涉及的产业多、影响的范围广，当下可谓无人不知元宇宙这一概念，而在这一新兴产业持续孵化之际，各种消费终端的沉浸式显示革新也悄然展开，作为下一代终极显示技术的Micro LED则成为了呼声最高的解决方案之一。

稍早在《元宇宙火了，Micro LED机会来了》一文中便提到，Micro LED产业链企业在AR/VR设备领域的动作十分频繁，玩家阵容正在持续扩大，包括华引芯在内的LED芯片厂商均在积极抢进，旨在能够抢占先机，并在未来分一杯羹。

但且不说元宇宙产业尚未成熟，Micro LED技术自身的商业化之路也还布满荆棘，其中最大的问题就包括芯片效率低下、巨量转移难、全彩化显示不易。不过，在全球玩家的共推之下，相关问题虽尚未完全解决，但也算有所突破，让产业链看到了一丝希望。

据此前访谈了解，华引芯针对Micro LED产业难题有着较为全面的认识并已开始“对症下药”，例如芯片效率问题。

华引芯指出，EQE是指发射到外部的光子数与流过结的载流子数目之比，EQE越大，LED发光效率越高。而解决Micro LED的发光效率问题，是实现大规模量产的基础。Micro LED尺寸小，在大屏幕上受到比较严重的侧壁效应影响，各种侧壁缺陷主要在蚀刻过程中出现，这些缺陷会导致非辐射复合。在低电流密度下，Micro LED的效率将非常低下。对此，华引芯认为可以通过优化LED芯片结构设计、改善工艺流程等来减少侧壁效应，从而提升EQE。

本次推出的Micro LED新品，华引芯就采用了Die-to-Wafer Bonding转移方案，并通过新型LED芯片结构设计及改进工艺等方法提升了芯片的EQE，产品良率及性能得到显著的提升。此外，华引芯从芯片到封装再到模组的所有环节都是自主设计制造，有助于其提高生产效率和产品可靠性，进而帮助控制成本，有望推动Micro LED的量产进程。

可见，华引芯在Micro LED微显示领域取得了实质性的进展，后续落地应用值得期待。不过，华引芯也提到，目前Micro LED技术仍然面临一些技术壁垒，除了芯片效率、巨量转移及全彩化之外，电源驱动、背板、检测与修复技术等方面也还未达到量产的水平，因此，Micro LED的量产还需靠全产业链的共同推动。