总投资35亿元！聚灿光电拟扩产Mini/Micro LED氮化镓、砷化镓芯片项目
9月4日，聚灿光电发布关于子公司签署《投资合同书》的公告，根据国家有关法律、法规以及省、市有关政策，宿迁经济技术开发区管理委员会（以下简称“甲方”）与聚灿光电科技（宿迁）有限公司本着互惠互利、诚实守信和平等自愿的原则，经充分友好协商，就聚灿光电在甲方辖区的项目投资、建设和经营等相关事宜于近日签订《宿迁经济技术开发区工业项目进区投资合同书》，双方共同遵守。
据披露，该项目为聚灿光电扩产项目，主要产品包括Mini/Micro LED氮化镓、砷化镓芯片，项目总投资约350000万元，其中固定资产投资约300000万元（含设备投入270000万元以上）。
项目用地位于聚灿光电现有厂区内南部及厂区西南侧新增43亩工业用地，于2020年第四季度陆续投入使用。厂房建设总建筑面积约3万平方米，聚灿光电在取得新增国有土地使用权证后36月内建成投产（包含既有老厂房改建、装修和新建厂房）。
聚灿光电表示，公司产品位于LED产业链上游，技术门槛和附加值均较高。公司的主要产品为GaN基高亮度蓝光LED芯片及外延片，公司所生产的高亮度蓝光LED芯片经下游封装后可广泛应用于照明及背光源等中高端应用领域。
随着技术进步、应用领域的不断扩大、市场规模以及行业渗透率的不断提高，国内LED芯片行业整体呈现增长趋势，行业集中度逐步提高，LED芯片高端新兴应用的市场规模快速提高。为顺应行业发展趋势以及行业竞争环境的新态势，公司在已有产业布局的基础上，亟需进一步加强新兴高端应用领域的高光效LED芯片的产业布局，巩固并扩大市场份额，提升公司核心产品的技术水平，提高公司的市场地位，同时持续跟进产业技术发展方向，完善公司的产品结构，确保公司持续、快速、健康发展，增强公司盈利能力，提升上市公司质量，进而实现企业价值和股东利益最大化。
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